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本发明公开了一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在Ⅴ/Ⅲ比非常高的情况下，当MOCVD生长的VCSEL外圈膜厚大于内圈膜厚时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的进气孔043载气流量，...
该专利属于西安唐晶量子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安唐晶量子科技有限公司授权不得商用。

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