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本发明公开了一种量子垒掺杂的深紫外LED及制备方法，所述量子垒掺杂的深紫外LED包括蓝宝石衬底、N型AlGaN接触层、量子阱有源层、P型AlGaN载流子输运层和P型GaN接触层，所述蓝宝石衬底上依次设置N型AlGaN接触层，量子阱有源层，P...
该专利属于苏州紫灿科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州紫灿科技有限公司授权不得商用。

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