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本发明涉及属于半导体器件的制造技术领域，具体是一种具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET和制作方法。具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET包括：半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底和生长在N型衬底上的外延层，所述外延层包括下外延层和生长在所述...
该专利属于无锡橙芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡橙芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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