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本发明公开了一种降低CIS单元像素面积的结构及方法，包括：SOI衬底，其包括体硅层、埋氧层和表面硅层；复位管、源极跟踪器和行选择管，均位于SOI衬底的表面硅层上方且处于同一平面内；传输管，其顶部与SOI衬底的表面硅层齐平，底部位于SOI衬底...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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