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本发明公开了一种H‑3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，P型SiC外延层，在P型SiC外延层上部的部分区域设有P型SiC欧姆接触掺杂层，在P型SiC欧...
该专利属于长安大学所有，仅供学习研究参考，未经过长安大学授权不得商用。

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