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本发明公开了一种适用于无掩模数字光刻的邻近效应校正方法，利用数字微镜对光场相位振幅的调制机理，分析不同灰度级次对光场振幅峰值及半峰高宽分布以及最终在光敏介质上线宽线距的影响，在基于经验的邻近效应校正基础上，建立适用于无掩模数字光刻技术的查找...
该专利属于中国科学院光电技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院光电技术研究所授权不得商用。

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