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本发明公开了一种Si衬底InGaN可见光探测器及制备方法与应用，所述探测器包括从下到上依次排布的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ni/Au金属层电极，所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层；在Si衬底上外延生长缓...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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