温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种3D磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法，包括：提供CMOS器件的顶层金属层；在CMOS器件的顶层金属层上形成一二氧化硅层，在二氧化硅层内形成一第一沟槽；沉积第一层氮化硅覆盖所述二氧化硅层和所述第一沟槽；沉积磁阻层覆盖所述第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。