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一种沟槽型半导体功率器件终端保护结构及功率器件，其功率器件结构包括第一导电类型衬底、第一导电类型缓冲层、第一导电类型漂移区，且在第一导电类型漂移区内设有原胞区和终端保护区，在原胞区外部设有主分压环、次分压环和第一导电类型截止环，在分压环的下...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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