温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种MOS结构及其制造方法，具体是一种具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构和制作方法，属于半导体器件的制造技术领域。在所述N型外延层中形成沟槽，所述沟槽从第一主面向第二主面延伸；所述沟槽的下部内壁为阶梯形，形成阶梯形的屏蔽栅区，所述阶梯形...
该专利属于无锡橙芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡橙芯微电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。