温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件，包括：底部嵌入到半导体衬底中的嵌入式栅极结构；沟道区形成在嵌入式栅极结构的底部表面下方，被嵌入式栅极结构的底部表面覆盖的沟道区的表面用于形成沟道；源区和漏区形成在嵌入式栅极结构的两侧；在源区或漏区中形成有嵌入式外...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。