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本发明涉及锗硅外延层、其形成方法及一PMOS器件，涉及半导体集成电路制造技术，通过在Sigma结构中依次形成第一籽晶层、第二籽晶层、第三籽晶层、体锗硅层和盖帽层而形成锗硅外延层，其中，第一籽晶层中无掺杂；第二籽晶层中掺杂硼，增加厚度到150...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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