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本公开提供了一种晶体管和制备该晶体管的方法，所述晶体管包括沟槽，所述沟槽限定在半导体衬底中。栅极电极设置在所述沟槽中，并且通过栅极电介质与所述沟槽的侧壁绝缘。屏蔽电极设置在所述栅极电极下方的所述沟槽中，并且通过屏蔽电介质与所述栅极电极和所述...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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