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一种混合式开关设备包括标准半导体开关和快速半导体开关，标准半导体开关和快速半导体开关电气并联地布置以形成联合输出电流路径以用于承载负载电流。标准开关可以是硅（Si）MOSFET，而快速开关可以是GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。一种用于...
该专利属于黑拉有限责任两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过黑拉有限责任两合公司授权不得商用。

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