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本发明涉及自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法。铜区域在介电层中形成。包含有自组装单层的扩散阻障件沉积在铜区域上方。覆盖层沉积在自组装单层上方。在某些具体实施例中，覆盖层及自组装单层沉积在相同的处理室中。...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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