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本发明涉及一种校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件的方法，该反射光学元件包括基板上的多层系统，该多层系统包括由在极紫外波长范围中的波长处具有不同折射率实部的至少两个交替布置的不同材料构成的层。所述方法包括以下步骤：测量所述多层...该专利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过卡尔蔡司SMT有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及一种校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件的方法，该反射光学元件包括基板上的多层系统，该多层系统包括由在极紫外波长范围中的波长处具有不同折射率实部的至少两个交替布置的不同材料构成的层。所述方法包括以下步骤：测量所述多层...