下载使用金属栅第一方法来构建三维非易失性存储器器件的技术资料

文档序号:22300181

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公开了一种三维NAND存储器系统和制造方法。三维NAND存储器系统可以包括水平层的堆叠和垂直结构。可以在半导体衬底上形成水平层的堆叠。水平层的堆叠可以包括与多个绝缘层交替的多个栅电极层。栅电极层可以包括与绝缘线交替的导电线。绝缘线可以由绝缘...
该专利属于李卫民所有,仅供学习研究参考,未经过李卫民授权不得商用。

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