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二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法技术
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文档序号:22264748
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本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法,包括:衬底;缓冲层,位于所述衬底上;N型欧姆接触层,位于所述缓冲层上,为N型InAs/GaSb超晶格;雪崩倍增层,覆于部分所述欧姆接触层之上,未被覆盖的欧姆接触层形成一台面;光吸收层,位于...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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