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本发明公开了一种适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构,包括绝缘基底和设于绝缘基底上的谐振部件,所述谐振部件为方框结构且两端通过锚点支撑固定在绝缘基底上,所述谐振部件的中部设有双端固支梁,所述双端固支梁的表面设有压电部件,所述双端固支梁的每...该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。
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本发明公开了一种适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构,包括绝缘基底和设于绝缘基底上的谐振部件,所述谐振部件为方框结构且两端通过锚点支撑固定在绝缘基底上,所述谐振部件的中部设有双端固支梁,所述双端固支梁的表面设有压电部件,所述双端固支梁的每...