一种适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构，包括绝缘基底和设于绝缘基底上的谐振部件，所述谐振部件为方框结构且两端通过锚点支撑固定在绝缘基底上，所述谐振部件的中部设有双端固支梁，所述双端固支梁的表面设有压电部件，所述双端固支梁的每一侧均设有两个间隙布置的悬臂梁，每一个悬臂梁的下表面设有一个软磁薄膜。本发明专利技术针对现有三轴磁传感器方案1/f噪声较大的问题，采用压电驱动、一体化设计的方式实现三轴磁传感器被测磁场的调制，具有高调制效率、高一致性、高一体化程度及实现简单的优点。

A magnetic field modulation structure for integrated three-axis magnetic sensor

【技术实现步骤摘要】
一种适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构
本专利技术涉及微弱磁信号探测
，具体涉及一种适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构。
技术介绍
三轴磁传感器在汽车电子、工业自动控制、存储、地质勘探、生物医学、航空航天等各个领域具有广泛的应用前景及巨大的市场需求，小型化、高精度、低功耗、高稳定性等越来越成为磁传感器的发展趋势。巨磁阻（GiantMagnetoresistance,GMR）传感器及隧道结磁电阻（TunnelingMagnetoresistance，TMR）传感器，具有体积小、灵敏度高、稳定性高、线性范围宽等优势，具有发展成为小型化高性能三轴磁传感器的巨大潜力。随着GMR及TMR磁敏感元件的迅速发展，磁场测量的灵敏度不断提高，1/f噪声逐渐成为限制敏感元件性能提升的主要因素。众多应用领域中，被测磁场大多属于低频段，比如地磁导航的缓变磁场、磁异目标的磁场、地质勘探中的异常磁场等，抑制1/f噪声从而提升磁传感器的磁场分辨力，对推动高性能磁传感器的应用具有重要意义。磁通调制技术是抑制1/f噪声的有效手段，其主要思路是将被测外磁场调制到高频区域，从而避免了1/f噪声的影响。目前报本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构，其特征在于：包括绝缘基底（1）和设于绝缘基底（1）上的谐振部件（2），所述谐振部件（2）为方框结构且两端通过锚点（21）支撑固定在绝缘基底（1）上，所述谐振部件（2）的中部设有双端固支梁（22），所述双端固支梁（22）的表面设有压电部件（3），所述双端固支梁（22）的每一侧均设有两个间隙布置的悬臂梁（23），每一个悬臂梁（23）的下表面设有一个软磁薄膜（4）。

【技术特征摘要】
1.一种适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构，其特征在于：包括绝缘基底（1）和设于绝缘基底（1）上的谐振部件（2），所述谐振部件（2）为方框结构且两端通过锚点（21）支撑固定在绝缘基底（1）上，所述谐振部件（2）的中部设有双端固支梁（22），所述双端固支梁（22）的表面设有压电部件（3），所述双端固支梁（22）的每一侧均设有两个间隙布置的悬臂梁（23），每一个悬臂梁（23）的下表面设有一个软磁薄膜（4）。2.根据权利要求1所述的适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构，其特征在于：所述绝缘基底（1）为采样氧化铝陶瓷制成。3.根据权利要求1所述的适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构，其特征在于：所述谐振部件（2）的方框结构两侧下部各设有一对间隙布置的锚点（21），且所述双端固支梁（22）的端部均位于两个锚点（21）之间。4.根据权利要求1所述的适用于一体式三轴磁传感器的磁场调制结构，其特征在于：所述谐振部件（2）为单晶硅材料通过腐蚀和/或刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡佳飞，杜青法，潘孟春，孙琨，车玉路，张欣苗，张博，潘龙，陈棣湘，李裴森，彭俊平，邱伟成，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43