温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括半导体衬底；栅叠层结构，位于半导体衬底上，包括交替堆叠的栅极导体层与层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿栅叠层结构，并与半导体衬底接触；栅极隔离结构，贯穿栅叠层结构以划分出多个存储区域，包...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。