温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸...
该专利属于三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。