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本发明的目的是提供等离子体处理方法，对半导体基板等的晶片进行等离子体蚀刻，能够通过晶片的蚀刻处理除去在处理室内堆积的金属与非金属的复合堆积物，并减少基于堆积物的异物的产生。本发明中，在处理室内对试料进行等离子体蚀刻并对所述处理室内进行等离子...
该专利属于株式会社日立高新技术所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立高新技术授权不得商用。

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