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一种深紫外LED芯片及其制备方法技术
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下载一种深紫外LED芯片及其制备方法的技术资料
文档序号:22171591
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本发明公开了一种深紫外LED芯片及其制备方法,深紫外LED芯片的N电极包括N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、AlN/GaN超晶格欧姆接触层和P型GaN层;其中AlN/GaN超晶格由厚度为原子层级的掺杂或者不掺杂的AlN层和Ga...
该专利属于武汉大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉大学授权不得商用。
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