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本公开的实施例提供了一种电子器件，包括：第一MOS晶体管，具有通过沟道形成区彼此分离的源极区和漏极区；在所述沟道形成区之上的第一栅极；其中所述漏极区包括延伸区；以及在所述延伸区之上的第二栅极，其中所述第二栅极连接到所述第一栅极。...
该专利属于意法半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体有限公司授权不得商用。

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