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本文公开了具有弯折后侧字线的三维(3D)存储器件的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括：衬底；在所述衬底上方并且横向延伸超出所述衬底的至少一个边缘的半导体层；在所述半导体层的正面上方并且在所述半导体层的背面下方延伸的多个交错的导电层和介电...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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