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一种形成半导体器件的方法，其包括提供异质结半导体本体。该异质结半导体本体包括III‑V型半导体背势垒区，形成在该背势垒区上的III‑V型半导体沟道层，以及形成在该背势垒区上的III‑V型半导体势垒层。第一二维载流子气位于沟道与势垒层之间的界...
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