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本发明涉及一种集成电路(100)，包括：第一芯片(30)，包括高压耗尽型晶体管；以及第二芯片(40)，包括增强型器件，第一芯片(30)和第二芯片(40)在其正面分别包括第一和第二栅接触盘(31、41)、第一和第二源接触盘(32、42)以及第...
该专利属于埃克斯甘公司所有，仅供学习研究参考，未经过埃克斯甘公司授权不得商用。

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