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本技术涉及能够降低噪声的晶体管和制造方法。该晶体管设置有：栅电极，其形成在半导体基板上；源极区域，其作为半导体基板表面的一部分形成，并且源极区域从栅电极开始延伸；以及漏极区域，其作为半导体基板表面的一部分形成，并且没有与栅电极接触的部分，所...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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