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一种用于化学气相沉积(CVD)反应器的处理室(C)，包括：系统(3)，该系统在限定处于局部真空下的封腔(E)的主体(B)内，该系统用于喷射反应性物质，以便沉积在被放置于支撑元件(5)上的基板(8)上；和热控制系统(2)，该热控制系统用于调节...
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