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本发明公开了一种碳化硅‑二氧化硅界面过渡层的光学表征方法,属于薄膜技术领域。该方法首先在椭偏仪中测量碳化硅‑二氧化硅样品的反射光参数振幅Ψ和相差Δ，然后在椭偏拟合软件中建立了拟合模型，将测量数据与椭偏拟合模型进行拟合，最后得到各层结构的折射...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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