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一种提高大功率SiC器件的散热结构制造技术
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文档序号:22032513
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本实用新型公开了一种提高大功率SiC器件的散热结构,包括壳体,壳体的下表面开设有放置槽,所述的左、右侧壁开设有均匀分布的散热孔,散热孔的内侧壁插接有插块,插块的内侧壁开设有储液槽,插块的外侧壁一体成型有散热板,壳体的前、后侧壁均开设有排热口...
该专利属于同辉电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过同辉电子科技股份有限公司授权不得商用。
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