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用于射频应用的主辅场效应晶体管配置制造技术
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文档序号:22027601
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本文公开了实施主辅分支设计的切换或其它有源FET配置。这种设计包含至少两个FET:提供辅路径的辅FET和提供主路径的主FET。可以通过在辅路径中生成的失真,来减小在主路径中生成的失真,诸如三阶谐波和/或互调失真。这可以通过以下来实现:向辅路...
该专利属于天工方案公司所有,仅供学习研究参考,未经过天工方案公司授权不得商用。
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