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一种3D NAND存储器及其形成方法，所述形成方法通过使所述沟道通孔调节区中形成的沟道通孔的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中形成的沟道通孔密度，从而使得所述伪沟道通孔调节区中形成伪沟道通孔的密度与所述沟道通孔调节区中形成沟道通孔的密度之间...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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