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用于环境光感测和接近感测的光电二极管制造技术
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文档序号:22011962
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本发明涉及用于环境光感测和接近感测的光电二极管。使用堆叠的光电二极管的对来实现环境光感测和接近感测。每个对包括对具有较短波长的光更敏感的具有浅结深度的浅二极管和对具有较长波长的光更敏感的具有较深结深度的较深二极管。接收通过蓝绿色、黄色,和品...
该专利属于硅谷实验室公司所有,仅供学习研究参考,未经过硅谷实验室公司授权不得商用。
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