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根据本发明的示例方面，提供了一种方法，包括：获得在第一侧面上包括掩模的第一硅晶片，在第一硅晶片的第一侧面上附着第二硅晶片，以及蚀刻晶片中的一个以部分地暴露沉积在相对的硅晶片上的窗口层，并形成由支撑窗口层的掩模限定的结构。...
该专利属于牛津仪器技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过牛津仪器技术股份公司授权不得商用。

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