辐射窗口制造技术

根据本发明专利技术的示例方面，提供了一种方法，包括：获得在第一侧面上包括掩模的第一硅晶片，在第一硅晶片的第一侧面上附着第二硅晶片，以及蚀刻晶片中的一个以部分地暴露沉积在相对的硅晶片上的窗口层，并形成由支撑窗口层的掩模限定的结构。

Radiation window

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射窗口
本专利技术涉及对辐射(例如X射线)至少部分透明的窗结构。
技术介绍
辐射测量装置通过测定检测器装置对入射辐射的感应来操作。例如，X射线照相机可以接收X射线并根据二维电荷耦合装置CCD阵列上的位置确定它们的强度。另一方面，光谱仪可以被构造为确定入射辐射的光谱特性，例如构造成确定天体物理红移或识别元素的特征发射峰以分析样品的元素组成。当测量软X射线(指的是例如具有低于约1keV能量的X射线)时，向检测器提供辐射存在挑战。例如，空气会散射软X射线和许多材料会吸收软X射线，因此最方便地通过真空将辐射传送到检测器，其中检测器可以设置在真空中。当在大气环境中操作时，可以布置合适的窗口以允许软X射线进入真空，在真空中可以布置检测器以分析辐射。理想情况下，这种窗口对于软X射线是透明的并且结构耐用，并且不透气以保护检测器单元。通过减小窗口的厚度可以增加透明度。例如，已经使用了铍窗，其中窗口越薄，通过窗口容许射入的辐射的部分越大。另一方面，窗户越薄，在现实环境中破坏的可能性越大。为了增加窗户的耐久性，窗户可以用机械网格支撑，或者它可以夹在支撑结构之间。支撑结构可以采用似网状支撑结构的形式，其部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：‑获取在第一侧面上包括掩模的第一硅晶片；‑在所述第一硅晶片的所述第一侧面上附着第二硅晶片，以及‑蚀刻其中一个硅晶片，以部分地暴露沉积在相反的硅晶片上的窗口层，并形成由支撑所述窗口层的掩模限定的结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.18 FI 201750371.一种方法，包括：-获取在第一侧面上包括掩模的第一硅晶片；-在所述第一硅晶片的所述第一侧面上附着第二硅晶片，以及-蚀刻其中一个硅晶片，以部分地暴露沉积在相反的硅晶片上的窗口层，并形成由支撑所述窗口层的掩模限定的结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述窗口层沉积在其中一个硅晶片的非附着侧面上。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述结构由其中一个硅晶片的硅形成。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括至少部分地移除所述掩模。5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括在所述窗口层的不面对所述结构的侧面上沉积至少一个表面层。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述至少一个表面层包括铝层。7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述至少一个表面层包括石墨烯层。8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，在附着所述第二硅晶片之前，根据所述掩模将所述第一硅晶片的硅的部分从所述第一侧面蚀刻。9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，在所述窗口层和所述第二硅晶片之间设置蚀刻停止层。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述蚀刻停止层至少部分被移除。11.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，提供第三硅晶片并附着在所述窗口层上，其中，第二掩模设置在所述第三硅晶片上，并且其中，根据所述第二掩模对所述第三硅晶片进行蚀刻以在所述窗口层上形成第二结构。12.一种辐射窗口结构，包括：-支撑结构上的连续窗口层，所述支撑结构位于所述窗口层的第一侧面上而非第二侧面上；-其中，所述窗口层在所述第二侧面上被连续地暴露，并且其中，所述窗口层...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼古拉·契科罗夫，
申请(专利权)人：牛津仪器技术股份公司，
类型：发明
国别省市：芬兰,FI