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一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体及其制备方法技术
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下载一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体及其制备方法的技术资料
文档序号:22003920
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本发明公开了一种基于原位生长的垂直石墨烯‑铜箔复合集流体的制备方法,属于锂离子电池技术领域,本发明通过等离子体增强化学气相沉积法原位制备垂直石墨烯‑铜箔复合集流体,制备出的石墨烯‑铜箔复合集流体表面具有微米级花瓣状结构,其接触角范围为125...
该专利属于吉林大学所有,仅供学习研究参考,未经过吉林大学授权不得商用。
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