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提供了半导体装置和半导体装置的制造方法，在具有场板的半导体装置和半导体装置的制造方法中抑制由于沟槽底部的电场集中所致的耐压的降低。半导体装置具备：第1导电类型的第1半导体层；设置在第1半导体层上的与第1导电类型不同的导电类型的第2导电类型的...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

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