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本发明提供一种FDSOI PMOS浅掺杂离子注入方法，至少包括：在有源区形成伪栅结构；淀积氮化硅，形成覆盖伪栅结构及其两侧有源区表面的氮化硅层；在伪栅结构两侧的有源区进行PLDD掺杂，形成源、漏扩展区；制作覆盖伪栅结构的硬掩膜层；去除伪栅结...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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