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一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法技术
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下载一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法的技术资料
文档序号:21939719
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本发明公开了一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法,该方法包含:(1)将粒径为70~80nm的SiO2介孔纳米球在500~570℃保温去除杂质,将三聚氰胺混合进该SiO2介孔纳米球中,在空气氛围下于500~570℃保温,采用KOH...
该专利属于西京学院所有,仅供学习研究参考,未经过西京学院授权不得商用。
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