一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法，该方法包含：(1)将粒径为70～80nm的SiO2介孔纳米球在500～570℃保温去除杂质，将三聚氰胺混合进该SiO2介孔纳米球中，在空气氛围下于500～570℃保温，采用KOH溶液去除SiO2，得到中空C3N4纳米陶瓷球体；(2)将所述中空C3N4纳米陶瓷球体与S混合，于150～180℃保温，获得S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体。本发明专利技术的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体用于电极提高了电池的比容量，同时具有较好的循环稳定性。

A S-coated hollow C3N4 nanosphere and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法
本专利技术涉及一种C3N4纳米陶瓷球体，具体涉及一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的发展，环境污染日益严重，特别是汽车产生的尾气。因此，电动汽车正在取代由汽油驱动的传统汽车。目前，针对电动汽车已经开发了许多能量存储系统，如锂离子电池、锂-硫电池和锂-空气电池等。在这些储能电池中，由于锂硫电池比容量高、能量密度高而最有前景应用于电动汽车。然而，锂-硫电池也存在一些缺点，例如：(1)电子电导率差导致活性物质利用率低，降低了比容量；(2)多硫化物易溶于电解质，导致阴极与阴极之间严重的穿梭效应阳极；(3)硫颗粒的体积变化将导致阴极的结构损坏。上述这些问题都导致锂硫电池的循环性能差，只有处理这些问题才能改善电化学性能。氮化碳(C3N4)是一种硬度可以和金刚石相媲美而在自然界中尚未发现的新的共价化合物，其一共有5种结构，它们分别是α相、β相、立方相、准立方相和类石墨相。其中，类石墨相(g-C3N4)的结构最稳定，其具有类似石墨的层状结构，并且包含了两种同素异形体，一种是以三嗪为结构单元连接形成，另一种是以3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法，其特征在于，该方法包含：(1)将粒径为70～80nm的SiO2介孔纳米球在500～570℃保温去除杂质，将三聚氰胺混合进该SiO2介孔纳米球中，在空气氛围下于500～570℃保温，采用KOH溶液去除SiO2，得到中空C3N4纳米陶瓷球体；(2)将所述中空C3N4纳米陶瓷球体与S混合，于150～180℃保温，获得S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体。

【技术特征摘要】
1.一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法，其特征在于，该方法包含：(1)将粒径为70～80nm的SiO2介孔纳米球在500～570℃保温去除杂质，将三聚氰胺混合进该SiO2介孔纳米球中，在空气氛围下于500～570℃保温，采用KOH溶液去除SiO2，得到中空C3N4纳米陶瓷球体；(2)将所述中空C3N4纳米陶瓷球体与S混合，于150～180℃保温，获得S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体。2.根据权利要求1所述的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述SiO2介孔纳米球与三聚氰胺的质量比为5：8～12；所述SiO2介孔纳米球的内外径之比为(1～1.5)：3。3.根据权利要求1所述的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述SiO2介孔纳米球在500～570℃保温10～15h；所述三聚氰胺和SiO2介孔纳米球的混合物在500～570℃保温4～6h；在步骤(2)中，所述中空C3N4纳米陶瓷球体与S混合后于150～180℃保温10～15h。4.根据权利要求1所述的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘守法，豆素勤，吴松林，马世臣，王新元，
申请(专利权)人：西京学院，
类型：发明
国别省市：陕西,61