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本发明提供了一种紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片，包括：步骤一、提供一衬底，在衬底上依次外延生长N‑AlGaN结构、量子阱和P‑AlGaN结构，形成一紫外光LED芯片；步骤二、外延生长完成后，在紫外光LED芯片上进行光刻和刻蚀，...
该专利属于上海工程技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海工程技术大学授权不得商用。

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