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本发明公开一种改善光阻显影和变形的方法，包括如下步骤：在半导体器件的基片上覆盖待蚀刻层；在待蚀刻层上覆盖第一光阻层，利用电子束显出目标线宽的第一开口；通过第一开口蚀刻待蚀刻层，在待蚀刻层上形成底部为半导体器件基片的第二开口，去除第一光阻层；...
该专利属于福建省福联集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省福联集成电路有限公司授权不得商用。

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