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本申请涉及一种碳化硅晶体及其制备方法，属于晶体材料制备领域。该碳化硅晶体的制备方法包括：将坩埚主体内的原料升华后经包括至少一个螺旋隔板组件形成的螺旋气流通道气相传输至籽晶表面进行长晶，制得碳化硅晶体。本申请的碳化硅晶体的制备方法改变了传统P...
该专利属于山东天岳先进材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进材料科技有限公司授权不得商用。

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