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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在第二槽区中获取若干分立的接触孔区；根据接触孔区的位置，获取位于第二槽区中的第二槽修正区，第二槽修正区的宽度小于第二槽区的宽度；在介质层第二槽修正区和第一槽区上分别形成牺牲层；在介质层上形成第一侧墙和第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。