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本发明提供一种磁性随机存储器的磁隧道结器件，包括自下而上依次堆叠的参考层、隧穿介电层和记忆层，所述记忆层采用物理气相沉积法制作，其包括铁磁材料，以及通过沉积层插入方式和/或共溅射方式来掺入该铁磁材料的非磁材料。本发明的磁性随机存储器，其记忆...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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