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本发明公开了一种砷化镓多结太阳电池及制作方法，该砷化镓多结太阳电池中，第一隧穿结和所述第二隧穿结的结构相同，通过在n型GaInP层和p型AlGaAs层之间插入一个GaAs薄层，与GaInP层和AlGaAs层相比，GaAs层具有更低的电子有效...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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