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兼具栅极电介质和刻蚀阻挡层功能结构的常关型功率器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明通过在具有栅极p型盖帽层的常规高电子迁移率晶体管外延结构势垒层上方插入介质层和过渡层复合结构，从而增大栅区耐压和常关型操作阈值电压；栅极单晶材料过...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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