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本发明涉及一种基于三维半导体晶圆的快恢复二极管结构，包括依次层布置的第一电极层、正面导通层、阻断层、背面导通层及第二电极层，所述阻断层内垂直于其两侧端面的方向嵌入有由多个阵列状分布的连接体形成连接层，所述连接层中的连接体一端嵌设在所述阻断层...
该专利属于洛阳鸿泰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过洛阳鸿泰半导体有限公司授权不得商用。

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